Institut für Physikalische und Theoretische Chemie

Grenzflächeneigenschaften Organischer Halbleiter

In den vergangenen Jahren haben organische Halbleiter (OSC) ihr großes Potenzial für Anwendungen in organischen elektronischen Bauelementen unter Beweis gestellt. Dabei sind Grenzflächen von besonderer Bedeutung, da sie wichtige Eigenschaften, wie die Injektion und/oder Extraktion von Ladungsträgern bestimmen. Um die elektronische Struktur solcher-Grenzflächen zu untersuchen, wurden zahlreiche Untersuchungen an Dünnschichten organischer molekularer Halbleiter auf verschiedenen Substraten durchgeführt. Die beobachteten Wechselwirkungen an organisch/anorganischen Grenzflächen reichen von schwacher Physisorption bis hin zu Reaktionen, die sowohl vom Substrat als auch vom untersuchten organischen Molekül abhängen. Zu den wichtigen Grenzflächeneigenschaften organischer Halbleiter gehören:

Energieniveauausrichtung

Ladungstransfer

Molekulare Orientierung

 

Wichtige Untersuchungsmethoden:

Photoemission (XPS, UPS) im Labor uns an Synchrotronstrahlungsquellen, Röntgenabsorptionsspektroskopie (XAS), Rastertunnelmikroskopie (STM)