Für die thermische Oxidation wird Sauerstoff in einen typischerweise 1050°C heißen Quarzglas-Reaktor eingelassen in dem sich eine mit Silizumwafer bestückte Horde befindet. Der Sauerstoff kann bei dieser Temperatur in den Wafer diffundieren und so von der Oberfläche her Siliziumdioxid bilden. Das Silizum wird bei der Oxidation "verbraucht", d.h. die Schicht wächst ungefähr zur Hälfte in die ursprüngliche Oberfläche des Siliziums hinein. Mit zunehmender Oxiddicke verlangsamt sich der Diffusionsprozess drastisch, sodass sich mit herkömmlicher thermischer Oxidation (ohne zusätzliche Zufuhr von Wasserstoff) nur Oxidschichten mit Dicken bis ca. 300 nm praktikabel herstellen lassen. Die thermische Oxidschicht ist dafür extrem hochqualitativ und bietet eine deutlich höhere Durchschlagsspannung als mittels CVD abgeschiedene Oxide.
Bei der Dotierung werden gezielt Verunreinigungen in den Siliziumwafer getrieben um die elektrischen Eigenschaften zu definieren. Wird Phosphor als Element der 5. Hauptgruppe verwendet, gewinnt man durch das Einbinden im Siliziumkristall zusätzliche, leicht bewegliche Elektronen und man spricht vom N-Typ. Mit Bor als Element der 3. Hauptgruppe werden Elektronenfehlstellen, sogenannte Löcher, in den Siliziumkristall eingeracht und man spricht vom P-Typ.
LP-Thermtech Sirius Maxi 9000
Unser Oxidations-/Dotierofen kann Substrate mit bis zu 3" Durchmesser aufnehmen. Es dürfen ausschließlich Silizium-Wafer nach einer RCA Reinigung in den Ofen gebracht werden.
