Hochauflösende Nanoimprint-Lithografie

Motivation:
In diesem Projekt geht es darum, eine einfache Methode der Nanoimprint-Lithografie zu entwickeln. Dazu werden durch eine Belichtung mit dem Elektronenstrahl Stempel aus Hydrogen Silsesquioxan (HSQ) auf einem Siliziumsubstrat hergestellt. Der entwickelte HSQ-Lack kann dann direkt als Stempel zur Nanoimprint-Lithografie verwendet werden. Die dabei angewandte Methode unterscheidet sich von früheren Arbeiten [1, 2, 3] in der Art des Ausbackens des Stempels, dessen Entwicklung und dem Imprint-Prozess.

Die nachfolgenden Aufnahmen zeigen einige Stempel und einen Stempelabdruck in eine erwärmte Schicht PMMA:

Links: HSQ-Linien auf einem Stempel mit hoher lateraler Auflösung
Rechts: HSQ-Linien auf einem Stempel mit einem hohen Aspektverhältnis

Hochauflösender Abdruck (Imprint) in eine erwärmte Schicht PMMA

Referenzen:
[1] S.Y. Chou, P.R. Krauss, P.J. Renstrom, J. Vac. Sci. Technol. B 14 (1996) 4129.
[2] D.P. Mancini, K. A. Gehoski, E. Ainley, K.J. Nordquist, D.J. Resnick, T.C. Bailey, S.V.
Sreenivasan, J. G. Ekerdt, C. G. Willson, J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 2896.
[3] W. Henschel, Y.M. Georgiev, H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol. B 21 (2003) 2018.